MOSFET Vishay TP0610K-T1-E3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Vishay TP0610K-T1-E3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Brand: Vishay
SKU: 1526382P

Código de producto RS: 152-6382PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: TP0610K-T1-E3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

185 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-3V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Anchura

2.64mm

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.4V

Altura

1.02mm

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay TP0610K-T1-E3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

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Vishay

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

185 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-3V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Anchura

2.64mm

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.4V

Altura

1.02mm