MOSFET Vishay SUP70040E-GE3 , VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
15.49mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.796
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 3.796 | $ 18.980 |
| 50 - 120 | $ 2.811 | $ 14.055 |
| 125 - 245 | $ 2.545 | $ 12.725 |
| 250 - 495 | $ 2.276 | $ 11.380 |
| 500+ | $ 2.086 | $ 10.430 |
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Tipo de montaje
Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
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±20 V
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Ancho
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Si
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