MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-2248Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SUM70040E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

9.65mm

Profundidad

10.41mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

76 nC @ 10 V

Altura

4.82mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 3.796

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 4.517,24

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 3.796$ 18.980
50 - 120$ 2.808$ 14.040
125 - 245$ 2.545$ 12.725
250 - 495$ 2.276$ 11.380
500+$ 2.089$ 10.445

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

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Single

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Profundidad

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Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

76 nC @ 10 V

Altura

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión de diodo directa

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