MOSFET Vishay SUM65N20-30-E3, VDSS 200 V, ID 65 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 818-7489Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SUM65N20-30-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

84 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

90 nC @ 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

9.652mm

Material del transistor

Si

Altura

4.826mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 11.844

$ 5.922 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 14.094

$ 7.047,18 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 11.844
4$ 23.688
6$ 35.532
8$ 47.376
10$ 59.220
12$ 71.064
14$ 82.908
16$ 94.752
18$ 106.596
20$ 111.200
22$ 122.320
24$ 133.440
26$ 144.560
28$ 155.680
30$ 166.800

$ 11.844

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$ 14.094

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12$ 71.064
14$ 82.908
16$ 94.752
18$ 106.596
20$ 111.200
22$ 122.320
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26$ 144.560
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 18$ 5.922$ 11.844
20 - 48$ 5.560$ 11.120
50 - 98$ 5.040$ 10.080
100 - 198$ 4.741$ 9.482
200+$ 4.442$ 8.884

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N

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D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

84 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Configuración de transistor

Single

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-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.41mm

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90 nC @ 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

9.652mm

Material del transistor

Si

Altura

4.826mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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