MOSFET Vishay SUM50020E-GE3, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 134-9701Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SUM50020E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

126 nC a 10 V

Profundidad

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

4.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SUM50020E-GE3, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 8 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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N

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Surface Mount

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8

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2,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

10.41mm

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