P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3

Código de producto RS: 152-6376Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ2361ES-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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$ 638

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 759,22

Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)

P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 15.950
50$ 31.900
75$ 47.850
100$ 63.800
125$ 79.750
150$ 95.700
175$ 111.650
200$ 127.600
225$ 143.550
250$ 150.000
275$ 165.000
300$ 180.000
325$ 195.000
350$ 210.000
375$ 225.000

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200$ 127.600
225$ 143.550
250$ 150.000
275$ 165.000
300$ 180.000
325$ 195.000
350$ 210.000
375$ 225.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
25 - 225$ 638$ 15.950
250 - 600$ 600$ 15.000
625 - 1225$ 576$ 14.400
1250 - 2475$ 511$ 12.775
2500+$ 479$ 11.975

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

3.04mm

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9 nC a 10 V

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