P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3

Name: P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 1464445
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 146-4445Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ2361ES-T1_GE3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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$ 397

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 472,43

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3

3000

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Vishay

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Maximum Continuous Drain Current

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.2V

Estándar de automoción

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