P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3

Código de producto RS: 819-3901Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ2315ES-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

92 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,4 nC a 4,5 V

Serie

SQ Rugged

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 638

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 759,22

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 12.760
40$ 25.520
60$ 38.280
80$ 51.040
100$ 63.800
120$ 76.560
140$ 89.320
160$ 102.080
180$ 114.840
200$ 102.200
220$ 112.420
240$ 122.640
260$ 132.860
280$ 143.080
300$ 153.300

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140$ 89.320
160$ 102.080
180$ 114.840
200$ 102.200
220$ 112.420
240$ 122.640
260$ 132.860
280$ 143.080
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 638$ 12.760
200 - 480$ 511$ 10.220
500 - 980$ 415$ 8.300
1000 - 1980$ 320$ 6.400
2000+$ 256$ 5.120

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

92 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

3.04mm

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