MOSFET Vishay SiZF360DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 80 A, 143 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC de 6 pines, 2elementos

Código de producto RS: 200-6871Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SiZF360DT-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A, 143 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3FDC

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0019 Ω, 0,0026 Ω, 0,0045 Ω, 0,0075 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Número de Elementos por Chip

2

Serie

TrenchFET® Gen IV

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P.O.A.

MOSFET Vishay SiZF360DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 80 A, 143 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC de 6 pines, 2elementos

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3FDC

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0019 Ω, 0,0026 Ω, 0,0045 Ω, 0,0075 Ω

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