MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 814-1314PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SISS23DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

27 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

195 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

3.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.78mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

195 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

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Material del transistor

Si

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