MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9383Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

ThunderFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,1 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 2.585

$ 517 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 3.076

$ 615,23 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 2.585
10$ 5.170
15$ 7.755
20$ 10.340
25$ 12.750
30$ 15.300
35$ 17.850
40$ 20.400
45$ 22.950
50$ 25.200
55$ 27.720
60$ 30.240
65$ 32.760
70$ 35.280
75$ 37.800

$ 2.585

$ 517 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 3.076

$ 615,23 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 2.585
10$ 5.170
15$ 7.755
20$ 10.340
25$ 12.750
30$ 15.300
35$ 17.850
40$ 20.400
45$ 22.950
50$ 25.200
55$ 27.720
60$ 30.240
65$ 32.760
70$ 35.280
75$ 37.800

Volver a intentar más tarde

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
5 - 20$ 517$ 2.585
25 - 45$ 510$ 2.550
50 - 245$ 504$ 2.520
250 - 495$ 498$ 2.490
500+$ 485$ 2.425

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

ThunderFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,1 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más