MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Series
ThunderFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Largo
3.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.397.000
$ 799 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.852.430
$ 950,81 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
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Series
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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3.4mm
Largo
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