MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9698Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIRA90DP-T1-RE3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

102 nC a 10 V

Profundidad

5.26mm

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 1.803

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.145,57

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 9.015
10$ 18.030
15$ 27.045
20$ 36.060
25$ 45.075
30$ 54.090
35$ 63.105
40$ 72.120
45$ 81.135
50$ 76.550
55$ 84.205
60$ 91.860
65$ 99.515
70$ 107.170
75$ 114.825

$ 1.803

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.145,57

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 9.015
10$ 18.030
15$ 27.045
20$ 36.060
25$ 45.075
30$ 54.090
35$ 63.105
40$ 72.120
45$ 81.135
50$ 76.550
55$ 84.205
60$ 91.860
65$ 99.515
70$ 107.170
75$ 114.825

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.803$ 9.015
50 - 120$ 1.531$ 7.655
125 - 245$ 1.443$ 7.215
250 - 495$ 1.353$ 6.765
500+$ 1.262$ 6.310

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

102 nC a 10 V

Profundidad

5.26mm

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more