MOSFET Vishay SIR692DP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 24,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9731Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR692DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

67 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25,3 nC a 10 V

Longitud

6.25mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.12mm

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.133

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.538,27

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 2.133$ 10.665
50 - 120$ 1.815$ 9.075
125 - 245$ 1.578$ 7.890
250 - 495$ 1.300$ 6.500
500+$ 1.023$ 5.115

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

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Single

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Ancho

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1

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