Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,3 nC a 10 V
Longitud
6.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.12mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.133
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.538,27
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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$ 2.538,27
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 2.133 | $ 10.665 |
50 - 120 | $ 1.815 | $ 9.075 |
125 - 245 | $ 1.578 | $ 7.890 |
250 - 495 | $ 1.300 | $ 6.500 |
500+ | $ 1.023 | $ 5.115 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,3 nC a 10 V
Longitud
6.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.12mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto