MOSFET Vishay SIR690DP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 34,4 A, SO de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31,9 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31,9 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products