MOSFET Vishay SIR680DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9727Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR680DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

69,5 nC a 10 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.776

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 3.303,44

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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20 - 98$ 2.608$ 5.216
100 - 198$ 2.360$ 4.720
200 - 498$ 2.221$ 4.442
500+$ 2.082$ 4.164

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Mejora

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Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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