Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69,5 nC a 10 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.776
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 3.303,44
Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
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$ 3.303,44
Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
2 - 18 | $ 2.776 | $ 5.552 |
20 - 98 | $ 2.608 | $ 5.216 |
100 - 198 | $ 2.360 | $ 4.720 |
200 - 498 | $ 2.221 | $ 4.442 |
500+ | $ 2.082 | $ 4.164 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69,5 nC a 10 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Datos del producto