MOSFET Vishay SIR668DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9725Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR668DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,05 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.951

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 3.511,69

Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 5.902
4$ 11.804
6$ 17.706
8$ 23.608
10$ 29.510
12$ 35.412
14$ 41.314
16$ 47.216
18$ 53.118
20$ 50.120
22$ 55.132
24$ 60.144
26$ 65.156
28$ 70.168
30$ 75.180

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14$ 41.314
16$ 47.216
18$ 53.118
20$ 50.120
22$ 55.132
24$ 60.144
26$ 65.156
28$ 70.168
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 18$ 2.951$ 5.902
20 - 98$ 2.506$ 5.012
100 - 198$ 2.184$ 4.368
200 - 498$ 1.797$ 3.594
500+$ 1.417$ 2.834

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1

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Longitud

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Altura

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