MOSFET Vishay SIR668DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,05 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.761
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.095,59
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3000
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,05 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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Tensión de diodo directa
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