Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Longitud:
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.12mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.674
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.992,06
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
$ 1.674
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.992,06
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 1.674 | $ 8.370 |
50 - 120 | $ 1.572 | $ 7.860 |
125 - 245 | $ 1.423 | $ 7.115 |
250 - 495 | $ 1.338 | $ 6.690 |
500+ | $ 1.254 | $ 6.270 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Longitud:
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.12mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto