MOSFET Vishay SIR626DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 100 A, SO de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
68 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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5
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N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
68 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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