MOSFET Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3402Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR462DP-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.89mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.9mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.04mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 459,34

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 1.930
10$ 3.860
15$ 5.790
20$ 7.720
25$ 9.650
30$ 11.580
35$ 13.510
40$ 15.440
45$ 17.370
50$ 19.300
55$ 21.230
60$ 23.160
65$ 25.090
70$ 27.020
75$ 28.950

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N

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19 A

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Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.89mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V

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Longitud

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