MOSFET Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8,7 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Serie
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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