MOSFET Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8,7 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 787-9181Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHP8N50D-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

D Series

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

850 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Ancho

4.65mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.01mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.633

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.943,27

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 8.165
10$ 16.330
15$ 24.495
20$ 32.660
25$ 40.825
30$ 48.990
35$ 57.155
40$ 65.320
45$ 73.485
50$ 73.500
55$ 80.850
60$ 88.200
65$ 95.550
70$ 102.900
75$ 110.250

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35$ 57.155
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50$ 73.500
55$ 80.850
60$ 88.200
65$ 95.550
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75$ 110.250

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.633$ 8.165
50 - 120$ 1.470$ 7.350
125 - 245$ 1.306$ 6.530
250 - 495$ 1.224$ 6.120
500+$ 1.145$ 5.725

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

850 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Ancho

4.65mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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