Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
E Series
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.49mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 6.529
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 7.769,51
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
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50 - 50 | $ 6.529 | $ 326.450 |
100+ | $ 6.202 | $ 310.100 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
E Series
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.49mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción