MOSFET Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-2251Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHH26N60E-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

135 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

202 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

77 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

8.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Serie

E Series

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 6.516

Each (Sin IVA)

$ 7.754

Each (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 6.516
2$ 13.032
3$ 19.548
4$ 26.064
5$ 32.580
6$ 39.096
7$ 45.612
8$ 52.128
9$ 58.644
10$ 48.210
11$ 53.031
12$ 57.852
13$ 62.673
14$ 67.494
15$ 72.315

$ 6.516

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7$ 45.612
8$ 52.128
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11$ 53.031
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14$ 67.494
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 6.516
10 - 49$ 4.821
50 - 99$ 4.047
100 - 249$ 3.579
250+$ 3.390

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Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

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PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

135 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

202 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

77 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

8.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Serie

E Series

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
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