MOSFET Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 903-4475Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SiHG70N60EF-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

EF Series

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

38 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

520000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.31mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

253 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

20.82mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 15.151

Each (Sin IVA)

$ 18.030

Each (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 15.151
2$ 30.302
3$ 45.453
4$ 60.604
5$ 75.755
6$ 90.906
7$ 106.057
8$ 121.208
9$ 136.359
10$ 143.910
11$ 158.301
12$ 172.692
13$ 187.083
14$ 201.474
15$ 215.865

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

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1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 15.151
2$ 30.302
3$ 45.453
4$ 60.604
5$ 75.755
6$ 90.906
7$ 106.057
8$ 121.208
9$ 136.359
10$ 143.910
11$ 158.301
12$ 172.692
13$ 187.083
14$ 201.474
15$ 215.865

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 15.151
10 - 24$ 14.391
25 - 49$ 13.631
50 - 99$ 12.126
100+$ 11.513

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N

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600 V

Series

EF Series

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TO-247AC

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

38 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

520000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.31mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

253 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

20.82mm

País de Origen

China

Datos del producto

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Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
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