MOSFET Vishay SiHG28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 903-4497PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SiHG28N60EF-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

123 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Profundidad

5.31mm

Material del transistor

Si

Series

EF Series

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

20.82mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SiHG28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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2

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2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
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10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
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20P.O.A.
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Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

123 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Profundidad

5.31mm

Material del transistor

Si

Series

EF Series

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

20.82mm

País de Origen

China

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Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
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