MOSFET Vishay SIHF28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET Vishay SIHF28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Brand: Vishay
SKU: 1780896

Código de producto RS: 178-0896Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHF28N60EF-GE3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

EF Series

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

123 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

39000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.83mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Longitud:

10.63mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Altura

16.12mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Brand

Vishay

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

EF Series

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

123 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

39000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.83mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Longitud:

10.63mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80 nC a 10 V

Altura

16.12mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto