Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Tipo de Encapsulado
PowerPAK MLP4535
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
22
Modo de Canal
Mejora
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
4.5mm
Altura
0.75mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Etapa de potencia integrada VRPower de 30 A SiC530
El SiC530 es una etapa de potencia MOSFET integrada optimizada para aplicaciones de convertidor reductor síncrono.
Encapsulado PowerPAK térmicamente mejorado
Incorpora driver de puerta MOSFET avanzado
Alto rendimiento y eficiencia
Funcionamiento de alta frecuencia de hasta 2 MHz
Restablecimiento de potencia
Lógica PWM de 5 voltios con tres estados y retención
Compatible con requisito de carga ligera de modo PS4 para IMVP8
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Tipo de Encapsulado
PowerPAK MLP4535
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
22
Modo de Canal
Mejora
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
4.5mm
Altura
0.75mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Etapa de potencia integrada VRPower de 30 A SiC530
El SiC530 es una etapa de potencia MOSFET integrada optimizada para aplicaciones de convertidor reductor síncrono.
Encapsulado PowerPAK térmicamente mejorado
Incorpora driver de puerta MOSFET avanzado
Alto rendimiento y eficiencia
Funcionamiento de alta frecuencia de hasta 2 MHz
Restablecimiento de potencia
Lógica PWM de 5 voltios con tres estados y retención
Compatible con requisito de carga ligera de modo PS4 para IMVP8