MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 818-1441Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIA416DJ-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

ThunderFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SC-70

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

130 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

2.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

2.15mm

Material del transistor

Si

Altura

0.75mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 13.700

$ 685 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 16.303

$ 815,15 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 13.700
40$ 27.400
60$ 41.100
80$ 54.800
100$ 68.500
120$ 82.200
140$ 95.900
160$ 109.600
180$ 123.300
200$ 112.400
220$ 123.640
240$ 134.880
260$ 146.120
280$ 157.360
300$ 168.600

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100$ 68.500
120$ 82.200
140$ 95.900
160$ 109.600
180$ 123.300
200$ 112.400
220$ 123.640
240$ 134.880
260$ 146.120
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 685$ 13.700
200 - 480$ 562$ 11.240
500 - 980$ 515$ 10.300
1000 - 1980$ 480$ 9.600
2000+$ 411$ 8.220

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N

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ThunderFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SC-70

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

130 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

Largo

2.15mm

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6,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

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Material del transistor

Si

Altura

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