MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SC-70
Series
ThunderFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.15mm
Largo
2.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.75mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 996.000
$ 332 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.185.240
$ 395,08 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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Series
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6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
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Single
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Material del transistor
Si
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1
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2.15mm
Largo
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Temperatura Mínima de Operación
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