MOSFET Vishay SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-8995Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9945BDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

72 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 964

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.147,16

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MOSFET Vishay SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 9.640
20$ 19.280
30$ 28.920
40$ 38.560
50$ 48.200
60$ 57.840
70$ 67.480
80$ 77.120
90$ 86.760
100$ 90.600
110$ 99.660
120$ 108.720
130$ 117.780
140$ 126.840
150$ 135.900

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70$ 67.480
80$ 77.120
90$ 86.760
100$ 90.600
110$ 99.660
120$ 108.720
130$ 117.780
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 964$ 9.640
100 - 240$ 906$ 9.060
250 - 490$ 820$ 8.200
500 - 990$ 771$ 7.710
1000+$ 725$ 7.250

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72 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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1V

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3,1 W

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±20 V

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Ancho

4mm

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Si

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