MOSFET Vishay SI5997DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,1 A, PowerPAK ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
10,4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.98mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.08mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Altura
0.85mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
20
P.O.A.
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Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
10,4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.98mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.08mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Altura
0.85mm
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