MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 818-1352PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI5935CDC-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3,8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1206 ChipFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 5 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

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20

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100P.O.A.
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160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
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P

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

1206 ChipFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 5 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

2

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