MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 818-1352Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI5935CDC-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1206 ChipFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 5 V

Profundidad

1.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 624

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 742,56

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 12.480
40$ 24.960
60$ 37.440
80$ 49.920
100$ 62.400
120$ 74.880
140$ 87.360
160$ 99.840
180$ 112.320
200$ 117.200
220$ 128.920
240$ 140.640
260$ 152.360
280$ 164.080
300$ 175.800

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120$ 74.880
140$ 87.360
160$ 99.840
180$ 112.320
200$ 117.200
220$ 128.920
240$ 140.640
260$ 152.360
280$ 164.080
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 624$ 12.480
200 - 480$ 586$ 11.720
500 - 980$ 530$ 10.600
1000 - 1980$ 498$ 9.960
2000+$ 468$ 9.360

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P

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

1206 ChipFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 5 V

Profundidad

1.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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