MOSFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,05 O,0,156 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Número de Elementos por Chip
2
Serie
TrenchFET
País de Origen
China
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$ 485
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 577,15
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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3000
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4.0 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,05 O,0,156 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
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