Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto