MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9008Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4948BEY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.633

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.943,27

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.633$ 8.165
50 - 245$ 1.405$ 7.025
250 - 495$ 1.143$ 5.715
500 - 1245$ 950$ 4.750
1250+$ 868$ 4.340

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Mejora

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Longitud

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