MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-4736Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4840BDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.56 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,5 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.55mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.232

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.656,08

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 11.160
10$ 22.320
15$ 33.480
20$ 44.640
25$ 55.800
30$ 66.960
35$ 78.120
40$ 89.280
45$ 100.440
50$ 104.900
55$ 115.390
60$ 125.880
65$ 136.370
70$ 146.860
75$ 157.350

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30$ 66.960
35$ 78.120
40$ 89.280
45$ 100.440
50$ 104.900
55$ 115.390
60$ 125.880
65$ 136.370
70$ 146.860
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 2.232$ 11.160
50 - 120$ 2.098$ 10.490
125 - 245$ 1.896$ 9.480
250 - 495$ 1.785$ 8.925
500+$ 1.674$ 8.370

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8

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Mejora

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1V

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1.56 W

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Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Longitud

5mm

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

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