MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Profundidad
4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 18.800
$ 940 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 22.372
$ 1.118,60 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | $ 940 | $ 18.800 |
| 200 - 480 | $ 725 | $ 14.500 |
| 500 - 980 | $ 611 | $ 12.220 |
| 1000 - 1980 | $ 564 | $ 11.280 |
| 2000+ | $ 471 | $ 9.420 |
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3.1 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
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2
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11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Profundidad
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