Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
P.O.A.
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto