MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 812-3233Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4599DY-T1-GE3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A, 6.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42.5 mΩ, 62 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3 W, 3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 963

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.145,97

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 19.260
40$ 38.520
60$ 57.780
80$ 77.040
100$ 96.300
120$ 115.560
140$ 134.820
160$ 154.080
180$ 173.340
200$ 148.200
220$ 163.020
240$ 177.840
260$ 192.660
280$ 207.480
300$ 222.300

$ 963

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.145,97

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 19.260
40$ 38.520
60$ 57.780
80$ 77.040
100$ 96.300
120$ 115.560
140$ 134.820
160$ 154.080
180$ 173.340
200$ 148.200
220$ 163.020
240$ 177.840
260$ 192.660
280$ 207.480
300$ 222.300

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 963$ 19.260
200 - 480$ 741$ 14.820
500 - 980$ 625$ 12.500
1000 - 1980$ 577$ 11.540
2000+$ 482$ 9.640

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A, 6.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42.5 mΩ, 62 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3 W, 3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more