Transistor MOSFET Vishay SI4567DY-T1-E3, VDSS 40 V, ID 4,4 A, 5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Brand

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4,4 A, 5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 Ω, 122 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

2.75 W, 2.95 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 20 V, 8 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Largo

5mm

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.5mm

País de Origen

China