Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
P.O.A.
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto