Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 679
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 808,01
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
$ 679
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Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 180 | $ 679 | $ 13.580 |
200 - 480 | $ 577 | $ 11.540 |
500 - 980 | $ 543 | $ 10.860 |
1000 - 1980 | $ 510 | $ 10.200 |
2000+ | $ 475 | $ 9.500 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto