MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3215PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4431CDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.55mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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P

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

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Altura

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