MOSFET Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9235PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4190ADY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44,4 nC a 10 V

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

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Single

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±20 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

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Si

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