MOSFET Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
10
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N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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