MOSFET Vishay SI4116DY-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 12.7 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3317Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4116DY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

12,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.446

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.720,74

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 7.230
10$ 14.460
15$ 21.690
20$ 28.920
25$ 36.150
30$ 43.380
35$ 50.610
40$ 57.840
45$ 65.070
50$ 67.950
55$ 74.745
60$ 81.540
65$ 88.335
70$ 95.130
75$ 101.925

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35$ 50.610
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50$ 67.950
55$ 74.745
60$ 81.540
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.446$ 7.230
50 - 245$ 1.359$ 6.795
250 - 495$ 1.230$ 6.150
500 - 1245$ 1.157$ 5.785
1250+$ 1.087$ 5.435

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2.5 W

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1

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+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

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Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

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