Transistor MOSFET Vishay SI4056DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,1 A, SOIC de 8 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

5.7 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19,6 nC a 10 V

Profundidad

4mm

Series

ThunderFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.5mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China